型號: | NESG2046M33 |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION |
中文描述: | 鄰舍npn型硅鍺晶體管低噪聲,高增益放大 |
文件頁數: | 1/3頁 |
文件大小: | 118K |
代理商: | NESG2046M33 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
NESG2046M33-A | NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION |
NESG2046M33-T3-A | NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION |
NESZC02T | LED |
NESZC02T-4002A | LED |
NEZ4450-15D | 15 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
NESG2046M33(A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
NESG2046M33-A | 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續電流: 功率耗散: 安裝風格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
NESG2046M33-T3-A | 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續電流: 功率耗散: 安裝風格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
NESG2101M05 | 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續電流: 功率耗散: 安裝風格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
NESG2101M05-A | 功能描述:射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極連續電流: 功率耗散: 安裝風格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |