2012年功率半導體規模將達200億美元
發布時間：2/8/2015 | 10372 次閱讀
市調機構 yole developpement 指出，包括分立式半導體、模塊和ic在內的功率組件市場規模預估2012年將達到200億美元。這些產品可滿足新興的混合動力車應用，以及從太陽能逆變器到照明、加熱器等多種應用，產品范圍從幾伏特到數千伏特都包含在內。
yole 的分析師認為，中高壓市場中的 igbt 產值約為16億美元。超接面(superjunction) mosfet 正在朝更高度開關頻率的方向發展，預估2012年市場規模為5.67億美元。
而性能可超越傳統硅組件的新型氮化鎵(gan)和碳化硅(sic)技術，則由于過于昂貴，因此仍處在早期部署階段。
不過，yole表示，這些材料將會對led照明應用領域帶來影響，而且目前也已經有一些制造商表示考慮選用這些材料了。
“gan和sic還未成熟到足以應用在功率電子市場中：首先，這類產品要求改善制造技術，特別是在磊晶厚度方面；其次是材料仍然相當昂貴，因此很難走進一般消費應用領域，yole表示。
據ims research表示，2012年功率半導體市場預估將達320億美元，比2011年成長5%。