1. 存儲(chǔ)容量與結(jié)構(gòu)

• 容量：通常為512Kbit（64KB）或 1Mbit（128KB），適合存儲(chǔ)小型程序代碼、配置參數(shù)或數(shù)據(jù)日志。
• 頁(yè) / 塊結(jié)構(gòu)：典型頁(yè)大小為 256 字節(jié)，支持按頁(yè)編程、按塊擦除（如 4KB/32KB/64KB 塊）。

2. 電氣特性

• 工作電壓：支持 2.7V~3.6V 寬電壓范圍，兼容大多數(shù) MCU 和 SoC。
• 低功耗：待機(jī)電流可能低至幾 μA，工作電流約幾 mA，適合電池供電設(shè)備。
• 溫度范圍：工業(yè)級(jí)版本支持 - 40°C~+85°C，滿足嚴(yán)苛環(huán)境需求。

3. 接口與通信

• SPI 總線：支持標(biāo)準(zhǔn) SPI（1 線）、雙 SPI（2 線）或四 SPI（4 線）模式，最高時(shí)鐘頻率可達(dá)50MHz~104MHz（取決于型號(hào)）。
• 快速讀取：支持雙輸出 / 四輸出快速讀取指令，提升數(shù)據(jù)傳輸效率。
• 菊花鏈支持：可級(jí)聯(lián)多個(gè)芯片，簡(jiǎn)化多設(shè)備通信設(shè)計(jì)。

4. 讀寫性能

• 編程時(shí)間：?jiǎn)雾?yè)編程時(shí)間約 0.5~5ms（取決于容量和操作模式）。
• 擦除時(shí)間：塊擦除時(shí)間約 3~10ms（4KB 塊），整片擦除約 100~300ms。
• 讀寫壽命：典型擦寫周期（Endurance）為10 萬次，數(shù)據(jù)保存時(shí)間（Retention）達(dá)20 年。

5. 安全與可靠性

• 硬件寫保護(hù)：支持 WP# 引腳控制，防止意外擦寫。
• 軟件保護(hù)：支持塊鎖定（Block Lock）功能，保護(hù)關(guān)鍵區(qū)域。
• ECC 校驗(yàn)：部分型號(hào)可能內(nèi)置錯(cuò)誤校驗(yàn)，提升數(shù)據(jù)可靠性。

6. 封裝與應(yīng)用

• 封裝形式：常見為8 引腳 SOIC/WSON或10 引腳 USON，體積小，適合高密度 PCB 設(shè)計(jì)。
• 應(yīng)用場(chǎng)景：
  • 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備（IoT）固件存儲(chǔ)
  • 智能家居控制器
  • 工業(yè)傳感器數(shù)據(jù)緩存
  • 汽車電子（需確認(rèn) AEC-Q100 認(rèn)證）

7. 與其他型號(hào)對(duì)比

• 相比大容量 Flash（如 8Mbit/16Mbit）：成本更低，適合小容量需求場(chǎng)景。
• 相比同類 512Kbit 產(chǎn)品：可能提供更高讀寫速度或更低功耗。