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產(chǎn)品屬性 | 屬性值 | 選擇屬性 |
制造商: | Vishay |
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產(chǎn)品種類: | MOSFET |
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RoHS: | |
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REACH - SVHC: |
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技術(shù): | Si |
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安裝風(fēng)格: | Through Hole |
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封裝 / 箱體: | TO-220-3 |
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晶體管極性: | P-Channel |
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通道數(shù)量: | 1 Channel |
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Vds-漏源極擊穿電壓: | 100 V |
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Id-連續(xù)漏極電流: | 13 A |
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Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 200 mOhms |
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Vgs - 柵極-源極電壓: | - 20 V, + 20 V |
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Vgs th-柵源極閾值電壓: | 4 V |
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Qg-柵極電荷: | 61 nC |
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最小工作溫度: | - 55 C |
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最大工作溫度: | + 175 C |
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Pd-功率耗散: | 42 W |
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通道模式: | Enhancement |
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封裝: | Tube |
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商標(biāo): | Vishay Semiconductors |
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配置: | Single |
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產(chǎn)品類型: | MOSFETs |
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| 1000 |
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子類別: | Transistors |
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單位重量: | 2 g |
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