| 型號(hào)： | NP80N04NHE-S18-AY |
| 廠商： | Renesas Electronics America |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/12頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 40V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 80A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫歐 @ 40A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-262 |
| 包裝： | 管件 |