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參數(shù)資料
型號: NP80N04NHE-S18-AY
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數(shù): 2/12頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 80A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫歐 @ 40A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3300pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-262
包裝: 管件
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