型號: | NTD4404N |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK(85A,24V,N通道,DPAK,功率MOSFET) |
中文描述: | 32 A, 24 V, 0.00517 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | CASE 369C-01, DPAK-3 |
文件頁數: | 1/8頁 |
文件大小: | 73K |
代理商: | NTD4404N |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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NTD4804N | Power MOSFET 30 V, 117 A(30V, 117A, 功率MOSFET) |
NTD4805N | Power MOSFET(功率MOSFET) |
NTD4810N | Power MOSFET 30 V, 54 A(30V, 54A, 功率MOSFET) |
NTD4813N | 30V,40A,Single N Channel,DPAK/IPAK Power MOSFET(30V,40A,N溝道功率MOSFET) |
NTD60N02R | Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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NTD4404N1 | 功能描述:MOSFET NFET 24V 4.7MR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTD4404N1G | 功能描述:MOSFET NFET 24V 4.7MR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTD4404NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 24V 4.7MR TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTD45 | 制造商:EDI 制造商全稱:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS |
NTD4804 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N CH 30V 14.5A IPAKTR |