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參數(shù)資料
型號(hào): NTGD4167CT1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 10/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.6A,1.9A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫歐 @ 2.6A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 295pF @ 15V
功率 - 最大: 900mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-74,SOT-457
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: NTGD4167CT1GOSDKR
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