| 型號(hào)： | NTGD4167CT1G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2.6A，1.9A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫歐 @ 2.6A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 295pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SC-74，SOT-457 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 6-TSOP |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | NTGD4167CT1GOSDKR |