型號: | NTHD5904T1 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | Power MOSFET Dual N-Channel |
中文描述: | 3100 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封裝: | CHIPFET-8 |
文件頁數(shù): | 1/8頁 |
文件大小: | 51K |
代理商: | NTHD5904T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NTHD5905T1 | Power MOSFET Dual P-Channel 3.0 A, 8 V(3.0A,8V,雙P通道的功率MOSFET) |
NTHS5404 | Power MOSFET |
NTHS5404T1 | Power MOSFET |
NTHS5404T1G | Power MOSFET |
NTHS5445T1 | Power MOSFET P-Channel 5.2 A, 8 V(5.2A,8V,P通道的功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NTHD5904T1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET Dual N-Channel |
NTHD5905T1 | 功能描述:MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
NTHD5905T1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power MOSFET Dual P-Channel ChipFET |
NT-HOLSTER | 制造商:Fluke Networks 功能描述:HOLSTER |
NTHS | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:NTC Thermistors, Surface Mount Chip |