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參數資料
| 型號： | OP555D |
| 廠商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | NPN Silicon Phototransistors(NPN光敏晶體管，寬接收角，集電極最小電流0.25mA,可替代K5550) |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 222K |
| 代理商： | OP555D |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP560A | INDUCTOR, 100UH, 1.2A, 0.28 OHM DCR, SMT |
| OP560B | NPN Silicon Photodarlington |
| OP560C | NPN Silicon Photodarlington |
| OP580 | Silicon Phototransistor in SMT Plastic Package |
| OP600A | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 890NM PEAK WAVELENGTH | PILL-A |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| OP556/T,005 | 功能描述:MOSFET OP556/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| OP558/A,005 | 功能描述:MOSFET OP558/UNCASED/FOIL//A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| OP560A | 功能描述:光電晶體管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP560B | 功能描述:光電晶體管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP560C | 功能描述:光電晶體管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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