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PBLS1504V=LOAD SWITCH

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PBLS1504V=LOAD SWITCH 技術參數
  • PBLS1504V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,15V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):22k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V / 150 @ 100mA,2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA,100nA 頻率 - 躍遷:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PBLS1503Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,15V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):10 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V / 150 @ 100mA. 2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA,100nA 頻率 - 躍遷:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:PBLS1503 標準包裝:1 PBLS1503V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,15V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V / 150 @ 100mA. 2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA,100nA 頻率 - 躍遷:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PBLS1502Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,15V 電阻器 - 基底(R1):4.7 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):4.7 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V / 150 @ 100mA,2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA,100nA 頻率 - 躍遷:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:PBLS1502 標準包裝:1 PBLS1502V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,15V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):4.7k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V / 150 @ 100mA,2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA,100nA 頻率 - 躍遷:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PBLS2022D,115 PBLS2023D,115 PBLS2024D,115 PBLS4001D,115 PBLS4001V,115 PBLS4001Y,115 PBLS4002D,115 PBLS4002V,115 PBLS4002Y,115 PBLS4003D,115 PBLS4003V,115 PBLS4003Y,115 PBLS4004D,115 PBLS4004V,115 PBLS4004Y,115 PBLS4005D,115 PBLS4005V,115 PBLS4005Y,115
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