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PHD101NQ03LT，118

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PHD101NQ03LT,118
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
100000
NEXPERIA/安世
SOT428
-
授權代理/原廠FAE技術支持

PHD101NQ03LT,118
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT428
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

PHD101NQ03LT,118
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
PHILIPS
標準封裝
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質量

PHD101NQ03LT,118
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
PHILIPS
標準封裝
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質量

PHD101NQ03LT,118
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
PHILIPS
標準封裝
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質量

PHD101NQ03LT,118
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
DPAK
18+
-
MOSFET N-CH 30V 75A ...

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功能描述
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

PHD101NQ03LT，118 技術參數

PHC2300,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:340mA，235mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:102pF @ 50V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PHC21025,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.5A，2.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PHB66NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:66A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:93W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PHB-5R0V505-R 功能描述:5F Supercap 5V Radial, Can 130 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 70°C 0.839" L x 0.433" W (21.30mm x 11.00mm) 制造商:eaton 系列:PowerStor PHB 包裝:散裝零件狀態:有效電容:5F 容差:-10%，+30% 電壓 - 額定:5V ESR（等效串聯電阻）:130 毫歐 @ 100Hz 不同溫度時的使用壽命:70°C 時為 1000 小時端接:通孔安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，Can 引線間距:0.209"（5.30mm）大小/尺寸:0.839" 長 x 0.433" 寬（21.30mm x 11.00mm）高度 - 安裝（最大值）:1.280"（32.50mm）工作溫度:-25°C ~ 70°C 標準包裝:100 PHB-5R0V305-R 功能描述:3F Supercap 5V Radial, Can 200 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 70°C 0.681" L x 0.354" W (17.30mm x 9.00mm) 制造商:eaton 系列:PowerStor PHB 包裝:散裝零件狀態:有效電容:3F 容差:-10%，+30% 電壓 - 額定:5V ESR（等效串聯電阻）:200 毫歐 @ 100Hz 不同溫度時的使用壽命:70°C 時為 1000 小時端接:通孔安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，Can 引線間距:0.465"（11.80mm）大小/尺寸:0.681" 長 x 0.354" 寬（17.30mm x 9.00mm）高度 - 安裝（最大值）:1.280"（32.50mm）工作溫度:-25°C ~ 70°C 標準包裝:100 PHD16N03T,118 PHD18NQ10T,118 PHD20N06T,118 PHD21N06LT,118 PHD22NQ20T,118 PHD23NQ10T,118 PHD3055E,118 PHD33NQ20T,118 PHD34NQ10T,118 PHD36N03LT,118 PHD37N06LT,118 PHD38999/20FB4PN PHD38999/20WB4PN PHD38999/24FB4PN PHD38999/26FB4SN PHD38999/26WB4SN PHD38999/26WC8SN PHD38999/26WF30SN

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