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PMC-PA46TX

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  • PMC-PA46TX
    PMC-PA46TX

    PMC-PA46TX

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 90788

  • Omron Automation and Safe

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • PMC-PA46TX
    PMC-PA46TX

    PMC-PA46TX

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • Omron Automation and Safe

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
PMC-PA46TX PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
PMC-PA46TX 技術參數
  • PMCM650VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):15.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1060pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):556mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-WLCSP(1.48x.98) 封裝/外殼:6-XFBGA,WLCSP 標準包裝:1 PMCM650CUNEZ 功能描述:PMCM650CUNE NAX000 NONE 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):- 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):- 功率 - 最大值:556mW(Ta) 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFBGA,WLCSP 供應商器件封裝:6-WLCSP(1.48x0.98) 標準包裝:1 PMCM6501VPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6.2A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):29.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1400pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):556mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-WLCSP(1.48x.98) 封裝/外殼:6-XFBGA,WLCSP 標準包裝:1 PMCM6501VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7.3A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):920pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):556mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-WLCSP(1.48x.98) 封裝/外殼:6-XFBGA,WLCSP 標準包裝:1 PMCM440VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.9A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):360pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:4-WLCSP(0.78x0.78) 封裝/外殼:4-XFBGA,WLCSP 標準包裝:1 PMD-0-9 PMD1204PBB1-A.(2).GN PMD1204PBB2-A.(2).GN PMD1204PBB3-A.(2).GN PMD1204PJB1-A PMD1204PJB3-A PMD1204PPB1-A(2) PMD1204PPB1-A.(2).GN PMD1204PPB2-A.(2).GN PMD1204PPB3-A.(2).GN PMD1204PPBX-A(2).Z.F.PWM.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.R.PWM.GN PMD1204PQB1-A (2) PMD1204PQB1-A (2) F PMD1204PQB1-A.(2).GN PMD1204PQB1-A.(2).U.F.GN PMD1204PQB1-A.(2).U.GN
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