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PMCM6501VNEZ

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

PMCM6501VNEZ
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
367448
NEXPERIA
con
24+
-

PMCM6501VNEZ
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
367448
NEXPERIA
con
24+
-

PMCM6501VNEZ
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
NXP/恩智浦
WLSCP-6
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

PMCM6501VNEZ
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
NAX000
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

PMCM6501VNEZ
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
45000
NEXPERIA/安世
OL-PMCM6501VNE
-
授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

PMCM6501VNEZ
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室
367448
NEXPERIA
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

PMCM6501VNEZ
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Nexperia
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

PMCM6501VNEZ
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

PMCM6501VNEZ
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
6-WLCSP（1.48x.98）
18+
-
MOSFET N-CH 12V 6WLC...

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功能描述
MOSFET N-CH 12V 6WLCSP
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
7.3A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
24nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
920pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
556mW（Ta）, 12.5W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
18 毫歐 @ 3A，4.5V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
6-WLCSP（1.48x.98）
封裝/外殼
6-XFBGA，WLCSP
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

PMCM6501VNEZ 技術(shù)參數(shù)

PMCM440VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.9A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:360pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:4-WLCSP（0.78x0.78）封裝/外殼:4-XFBGA，WLCSP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMCM4401VPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.9A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:415pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:4-WLCSP（2x2）封裝/外殼:4-XFBGA，WLCSP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMCM4401VNEAZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:335pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:4-WLCSP（2x2）封裝/外殼:4-XFBGA，WLCSP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMCM4401UPEZ 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 20V 4A 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:420pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:95 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:4-WLCSP（0.78x0.78）封裝/外殼:4-XFBGA，WLCSP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMC-GASKET-01 功能描述:PMC EMC GASKET O RING (1070010-0 制造商:wakefield-vette 系列:- 零件狀態(tài):在售配件類型:墊圈配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 PMCS50 PMCXB1000UEZ PMCXB900UE PMCXB900UELZ PMCXB900UEZ PMD PMD-0-9 PMD1204PBB1-A.(2).GN PMD1204PBB2-A.(2).GN PMD1204PBB3-A.(2).GN PMD1204PJB1-A PMD1204PJB3-A PMD1204PPB1-A(2) PMD1204PPB1-A.(2).GN PMD1204PPB2-A.(2).GN PMD1204PPB3-A.(2).GN PMD1204PPBX-A(2).Z.F.PWM.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.GN

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