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PMDPB56XNEAX

配單專家企業名單

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價格
說明
操作

PMDPB56XNEAX
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
NA
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

PMDPB56XNEAX
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
367452
NEXPERIA
con
24+
-

PMDPB56XNEAX
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
367452
NEXPERIA
con
24+
-

PMDPB56XNEAX
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
367452
NEXPERIA
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

PMDPB56XNEAX
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Nexperia
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

PMDPB56XNEAX 其他被動元件
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
60000
NEXPERIA/安世
SOT1118D
-
授權代理/原廠FAE技術支持

PMDPB56XNEAX
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

PMDPB56XNEAX
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
18+
-
MOSFET 2N-CH 6HUSON

PMDPB56XNEAX
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
6000
NEXPERIA
價格優勢
2444
-
全新原裝渠道現貨

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功能描述
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
2 個 N 溝道（雙）
FET 功能
標準
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
3.1A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
72 毫歐 @ 3.1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.25V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
5nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
256pF @ 15V
功率 - 最大值
485mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-UDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝
DFN2020D-6
標準包裝
1

PMDPB56XNEAX 技術參數

PMDPB56XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:73 毫歐 @ 3.1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:170pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-HUSON（2x2）標準包裝:1 PMDPB55XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 3.4A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:25nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:785pF @ 10V 功率 - 最大值:490mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMDPB42UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 3.9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:185pF @ 10V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-HUSON（2x2）標準包裝:1 PMDPB38UNE,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:46 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:268pF @ 10V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-HUSON（2x2）標準包裝:1 PMDPB30XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:660pF @ 10V 功率 - 最大值:490mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMDR-0 PMDR-0-9 PMDR-1 PMDR-10-19 PMDR-2 PMDR-20-29 PMDR-3 PMDR-30-39 PMDR-4 PMDR-40-49 PMDR-5 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89