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PMN38EN_ENG

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  • PMN38EN_ENG
    PMN38EN_ENG

    PMN38EN_ENG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 25450

  • PHILIPS

  • SOT-163

  • 07+pb

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • PMN38EN_ENG
    PMN38EN_ENG

    PMN38EN_ENG

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人:柯先生/趙小姐

    電話:0755-83665813

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門市部:中航路都會(huì)電子3C002B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5100

  • PHILIPS

  • SOT-163

  • 07+PB

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • PMN38EN_ENG
    PMN38EN_ENG

    PMN38EN_ENG

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯(lián)系人:柯小姐

    電話:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亞洲國(guó)利大廈A座24層12室

  • 5090

  • philips

  • sot-163

  • 07+pb

  • -
  • 進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,一定自己庫(kù)存

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條 
  • 1
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PMN38EN_ENG 技術(shù)參數(shù)
  • PMN38EN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):495pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN35EN,125 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):31 毫歐 @ 5.1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9.3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):334pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN34UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1950pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):540mW(Ta),6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 2.4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN34UN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):46 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):790pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN34LN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMN48XP,115 PMN48XP,125 PMN48XPAX PMN49EN,135 PMN49EN,165 PMN50UPE,115 PMN50XP,165 PMN52XPX PMN55LN,135 PMN6-3R-2K PMN6-5R-2K PMN70EPEX PMN70XPE,115 PMN70XPEAX PMN70XPX PMN80XP,115 PMNF1-3F-3K PMNF1-3F-C
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