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PMN49EN,135

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PMN49EN,135
    PMN49EN,135

    PMN49EN,135

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 638850

  • NXP

  • TSOP-6

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,價格超越代理!

  • PMN49EN,135
    PMN49EN,135

    PMN49EN,135

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • NXP

  • SC-74

  • 新年份

  • -
  • 一級代理全新原裝現貨特價!

  • PMN49EN,135
    PMN49EN,135

    PMN49EN,135

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 15000

  • NXP

  • TSOP-6

  • 2014+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • PMN49EN,135
    PMN49EN,135

    PMN49EN,135

  • 甄芯網
    甄芯網

    聯系人:柯先生/趙小姐

    電話:0755-83665813

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部:中航路都會電子3C002B

    資質:營業執照

  • 3000

  • NXP

  • TSOP-6

  • 2012+

  • -
  • 電話83031345原裝現貨質量有保證

  • 1/1頁 40條/頁 共24條 
  • 1
PMN49EN,135 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PMN49EN,135 技術參數
  • PMN48XP,125 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Ta) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta),6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 2.4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN48XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta),6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 2.4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN45EN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):495pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN42XPEAH 功能描述:PMN42XPEA SOT457 SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.7A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):17.3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1410pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):46 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN42XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):17.3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1410pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):46 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN70XPEAX PMN70XPX PMN80XP,115 PMNF1-3F-3K PMNF1-3F-C PMNF1-3R-3K PMNF1-3R-C PMNF1-3R-X PMNF1-4F-3K PMNF1-4F-C PMNF1-4R-C PMNF1-4R-X PMNF1-5F-C PMNF1-5R-C PMNF1-5R-X PMNF2-3F-3K PMNF2-3F-C PMNF2-3R-3K
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