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PMPB20ENZ

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說明
操作

PMPB20ENZ
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT1220
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

PMPB20ENZ
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
367523
NEXPERIA
con
24+
-

PMPB20ENZ
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
367523
NEXPERIA
con
24+
-

PMPB20ENZ
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
367523
NEXPERIA
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

PMPB20ENZ
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
90000
NEXPERIA/安世
SOT1220
-
授權代理/原廠FAE技術支持

PMPB20ENZ
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
6-DFN2020MD（2x2）
18+
-
MOSFET N-CH 30V 7.2A...

PMPB20ENZ
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
10000
PHA
SOT1220
15+
-
原裝正品，價格優勢！

PMPB20ENZ
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
9000
NEXPERIA
價格優勢
2410
-
全新原裝渠道現貨

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PMPB20ENZ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PMPB20ENZ 技術參數

PMPB20EN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:435pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19.5 毫歐 @ 7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB19XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:43.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2890pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 7.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB16XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 7.2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:775pF @ 15V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）標準包裝:1 PMPB15XPH 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8.2A（Ta）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2875pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 8.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB15XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2875pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 8.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB23XNEZ PMPB25ENEAX PMPB27EP,115 PMPB29XNE,115 PMPB29XPE,115 PMPB33XN,115 PMPB33XP,115 PMPB40ENAX PMPB40SNA,115 PMPB43XPE,115 PMPB45EPAX PMPB47XP,115 PMPB48EP,115 PMPB50ENEAX PMPB55ENEAX PMPB55XNEAX PMPB85ENEA/FX PMPB85ENEAX

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