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PMV65XP國產

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    PMV65XP國產

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

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PMV65XP國產 技術參數
  • PMV65XPER 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:618pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）, 6.25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 2.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:618pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）, 6.25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 2.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65XP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:744pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:74 毫歐 @ 2.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65UNER 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 10V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:291pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:73 毫歐 @ 2.8A, 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:76 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:183pF @ 10V 功率 - 最大值:310mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標準包裝:1 PMV75UP,215 PMV90EN,215 PMV90ENER PMWD15UN,518 PMWD16UN,518 PMWD19UN,518 PMWD20XN,118 PMWD26UN,518 PMWD30UN,518 PMXB120EPE PMXB120EPEZ PMXB350UPE PMXB350UPEZ PMXB360ENEA PMXB360ENEAZ PMXB40UNE PMXB40UNEZ PMXB43UNE
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