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PMWD22XN

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PMWD22XN
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
PHI
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制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET

PMWD22XN 技術參數

PMWD20XN,118 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 4.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:740pF @ 16V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMWD19UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1478pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMWD16UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMWD15UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18.5 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1450pF @ 16V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMV90ENER 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 3A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMXB40UNEZ PMXB43UNE PMXB43UNEZ PMXB56EN PMXB56ENZ PMXB65ENE PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P PM-Y45-P-C3 PM-Y54