- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361010 > IXGB16N60U3 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 16A I(C) | SIP PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IXGB16N60U3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 16A I(C) | SIP |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 16A條（c）的|園區 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 274K |
| 代理商： | IXGB16N60U3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGB25N60R2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | SIP |
| IXGH10N50U1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-247 |
| IXGH12N100A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD |
| IXGH12N100AS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH12N100AU1S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247SMD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGB200N60B3 | 功能描述:IGBT 晶體管 GenX3 600V IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGB25N60R2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 25A I(C) | SIP |
| IXGB75N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGC12N60C | 功能描述:IGBT 晶體管 15 Amps 600 V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGC12N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 15 Amps 600 V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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