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PVS0204W2103YA

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PVS0204W2103YA 技術參數

PVR100AZ-B5V0,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN + 齊納電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:550mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PVR100AZ-B3V3,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN + 齊納電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:550mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PVR100AZ-B3V0,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN + 齊納電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:550mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PVR100AZ-B2V5,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN + 齊納電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:550mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PVR100AZ-B12V,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN + 齊納電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:550mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PVS0305B3503 PVS0305B3506 PVS0305B3512 PVS0305B3517 PVS0305B3520 PVS0305B3523 PVS0305B3524 PVS0305B3525 PVS0305B3526 PVS0305B3527 PVS0305B3529 PVS0305B3530 PVS0305B3531 PVS0305B3535 PVS0305B3538 PVS0305B3540 PVS0305B3541 PVS0305B3548