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PEMD2

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Dual N/P Transistor,22k,22k,SOT-666
PEMD2 技術參數(shù)
  • PEMD16,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):22 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:MD16 標準包裝:1 PEMD12,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMB9,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:MB9 標準包裝:1 PEMB11,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):10 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:180MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:MB11 標準包裝:1 PEMB10,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:MB10 標準包裝:1 PEMD48,115 PEMD6,115 PEMD9,115 PEMD9,315 PEMF21,115 PEMH1,115 PEMH10,115 PEMH11,115 PEMH11,315 PEMH13,115 PEMH13,315 PEMH14,115 PEMH15,115 PEMH16,115 PEMH17,115 PEMH18,115 PEMH19,115 PEMH2,115
配單專家

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