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參數資料
| 型號： | P2N2222ARL1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 40V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 325K |
| 代理商： | P2N2222ARL1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P2N2222AZL1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
| P2N2369A | BJT |
| P2N2907 | MCU CMOS 40 LD 40MHZ 8K FLASH, -40C to +125C, 40-PDIP, TUBE |
| P2N2907ARL1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
| P2N2907AZL1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| P2N2222ARL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| P2N2222AZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| P2N2222AZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| P2N2369 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON HIGH SPEED SWITHCHING TRANSISTORS |
| P2N2369A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
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