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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | P2N2907 |
| 英文描述： | MCU CMOS 40 LD 40MHZ 8K FLASH, -40C to +125C, 40-PDIP, TUBE |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 40V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至92 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | P2N2907 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P2N2907ARL1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
| P2N2907AZL1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
| P2N3019 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-226AE |
| P2N4033 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-226AE |
| P2R-05P | LEISSTUNGSRELAIS SOCKEL FUER PRINTPLATTE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P2N2907A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| P2N2907A/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor PNP |
| P2N2907AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| P2N2907AG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| P2N2907ARL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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