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參數資料
| 型號： | PBSS2515M |
| 英文描述： | 15 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 中文描述： | 15伏，0.5安NPN型低飽和壓降（BISS）晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | PBSS2515M |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 2001 Jan 26
2001 Sep 21
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS2515F
15 V low V
CEsat
NPN transistor
M3D425
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS2515VPN | 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor |
| PBSS2515YPN | 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor |
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| PBSS2515 | 15 V low VCEsat NPN double transistor |
| PBSS2540F | 40 V low V NPN transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBSS2515M T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2515M,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2515M3145 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PBSS2515MB | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, NPN, 15V, 0.5A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, NPN, 15V, 0.5A, SOT883B; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency Typ ft:420MHz; Power Dissipation Pd:590mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:90; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| PBSS2515MB,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15V NPN 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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