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參數資料
| 型號： | PBSS2540M |
| 英文描述： | 40 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 中文描述： | 40伏，0.5安NPN型低飽和壓降（BISS）晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | PBSS2540M |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 2001 Jan 26
2001 Sep 21
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS2515F
15 V low V
CEsat
NPN transistor
M3D425
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS2515 | 15 V low VCEsat NPN double transistor |
| PBSS2540F | 40 V low V NPN transistor |
| PBSS3515F | KPT 55C 55#20 SKT RECP |
| PBSS3515M | 15 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS3540F | 40 V low VCEsat PNP transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBSS2540M T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2540M,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2540MB | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 40V 0.5A SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, NPN, 40V, 0.5A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, NPN, 40V, 0.5A, SOT883B; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:450MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:50; Operating ;RoHS Compliant: Yes |
| PBSS2540MB,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS301ND | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 4A SSOT-6 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 20V, 4A, SSOT-6 |
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