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參數資料
| 型號： | PBSS2540M |
| 英文描述： | 40 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 中文描述： | 40伏，0.5安NPN型低飽和壓降（BISS）晶體管 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | PBSS2540M |
2001 Sep 21
3
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS2515F
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C; unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to
ambient
in free air
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
200
150
90
250
TYP.
300
420
MAX.
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current
V
CB
= 15 V; I
E
= 0
V
CB
= 15 V; I
E
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 2 V; I
C
= 10 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 100 mA; note 1
V
CE
= 2 V; I
C
= 500 mA; note 1
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
I
C
= 200 mA; I
B
= 10 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1
V
CE
= 2 V; I
C
= 100 mA; note 1
I
C
= 100 mA; V
CE
= 5 V;
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V; I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz
100
50
100
25
150
250
<500
1.1
0.9
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
mV
mV
mV
m
V
V
MHz
R
CEsat
V
BEsat
V
BE
f
T
equivalent on-resistance
base-emitter saturation voltage
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
C
c
collector capacitance
4.4
6
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| PBSS2540F | 40 V low V NPN transistor |
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參數描述 |
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