- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382372 > PBSS2540M 40 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PBSS2540M |
| 英文描述： | 40 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 中文描述： | 40伏，0.5安NPN型低飽和壓降（BISS）晶體管 |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | PBSS2540M |
2001 Sep 21
2
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS2515F
FEATURES
Low collector-emitter saturation voltage
High current capabilities
Improved thermal behaviour due to flat leads.
APPLICATIONS
General purpose switching and muting
Low frequency driver circuits
LCD backlighting
Audio frequency general purpose amplifier applications
Battery driven equipment (mobile phones, video
cameras and hand-held devices).
DESCRIPTION
NPN low V
CEsat
transistor in a SC-89 (SOT490) plastic
package.
PNP complement: PBSS3515F.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PBSS2515F
2A
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
handbook, halfpage
MAM410
1
2
3
1
Top view
2
3
Fig.1
Simplified outline (SC-89; SOT490) and
symbol.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
equivalent on-resistance
15
500
1
<500
V
mA
A
m
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
15
15
6
500
1
100
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS2515 | 15 V low VCEsat NPN double transistor |
| PBSS2540F | 40 V low V NPN transistor |
| PBSS3515F | KPT 55C 55#20 SKT RECP |
| PBSS3515M | 15 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS3540F | 40 V low VCEsat PNP transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBSS2540M T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2540M,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2540MB | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 40V 0.5A SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, NPN, 40V, 0.5A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, NPN, 40V, 0.5A, SOT883B; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:450MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:50; Operating ;RoHS Compliant: Yes |
| PBSS2540MB,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS301ND | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 4A SSOT-6 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 20V, 4A, SSOT-6 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。