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參數資料
| 型號： | PBSS3515F |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | KPT 55C 55#20 SKT RECP |
| 中文描述： | 500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | PBSS3515F |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 2001 Jan 26
2001 Sep 21
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS3515F
15 V low V
CEsat
PNP transistor
M3D425
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS3515M | 15 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS3540F | 40 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS3540M | 40 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS5350SA | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS5350S | 50 V low VCEsat PNP transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBSS3515F,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS3515M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:15 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS3515M T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS3515M,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS3515MB | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 15V 0.5A SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 15V, 0.5A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 15V, 0.5A, SOT883B; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-15V; Transition Frequency Typ ft:280MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:90; Operating ;RoHS Compliant: Yes |
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