- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382372 > PBSS3515F (NXP SEMICONDUCTORS) KPT 55C 55#20 SKT RECP PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PBSS3515F |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | KPT 55C 55#20 SKT RECP |
| 中文描述： | 500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | PBSS3515F |
2001 Sep 21
4
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS3515F
handbook, halfpage
0
10
1
400
200
MLD665
1
10
IC (mA)
hFE
10
2
10
3
(2)
(1)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
2 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
200
400
600
800
1000
MLD667
1
10
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
=
2 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
3
10
2
10
1
10
1
MLD669
1
10
IC (mA)
VCEsat
(mV)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
200
400
600
800
1000
MLD668
1
10
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
(2)
(3)
(1)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS3515M | 15 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS3540F | 40 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS3540M | 40 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS5350SA | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS5350S | 50 V low VCEsat PNP transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBSS3515F,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS3515M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:15 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS3515M T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS3515M,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS3515MB | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 15V 0.5A SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 15V, 0.5A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 15V, 0.5A, SOT883B; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-15V; Transition Frequency Typ ft:280MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:90; Operating ;RoHS Compliant: Yes |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。