型號: | PBSS3540M |
英文描述: | 40 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
中文描述: | 40伏,0.5安PNP型低飽和壓降(BISS)晶體管 |
文件頁數: | 1/9頁 |
文件大小: | 67K |
代理商: | PBSS3540M |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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PBSS5350S | 50 V low VCEsat PNP transistor |
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PBW1CL | Assemblies |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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PBSS3540MB,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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