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參數資料
| 型號： | PBSS3540M |
| 英文描述： | 40 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 中文描述： | 40伏，0.5安PNP型低飽和壓降（BISS）晶體管 |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | PBSS3540M |
2003 Jul 22
5
Philips Semiconductors
Product specification
15 V, 0.5 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS3515M
handbook, halfpage
0
10
1
400
200
MLD665
1
10
IC (mA)
hFE
10
2
10
3
(2)
(1)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
V
CE
=
2 V.
handbook, halfpage
(mV)
200
400
600
800
1000
MLD667
1
10
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
V
CE
=
2 V.
handbook, halfpage
3
10
2
10
1
10
1
MLD669
1
10
IC (mA)
VCEsat
(mV)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
I
C
/I
B
= 20.
handbook, halfpage
(mV)
200
400
600
800
1000
MLD668
1
10
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
(2)
(3)
(1)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
I
C
/I
B
= 20.
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