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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PBSS3540M |
| 英文描述： | 40 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 中文描述： | 40伏，0.5安PNP型低飽和壓降（BISS）晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | PBSS3540M |
2003 Jul 22
4
Philips Semiconductors
Product specification
15 V, 0.5 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS3515M
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
200
150
90
100
TYP.
300
280
MAX.
100
50
100
25
150
250
<500
1.1
0.9
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current
V
CB
=
15 V; I
E
= 0
V
CB
=
15 V; I
E
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
2 V; I
C
=
10 mA
V
CE
=
2 V; I
C
=
100 mA; note 1
V
CE
=
2 V; I
C
=
500 mA; note 1
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage I
C
=
10 mA; I
B
=
0.5 mA
mV
mV
mV
m
V
V
MHz
I
C
=
200 mA; I
B
=
10 mA; note 1
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA; note 1
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA; note 1
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA; note 1
V
CE
=
2 V; I
C
=
100 mA; note 1
I
C
=
100 mA; V
CE
=
5 V;
f = 100 MHz
V
CB
=
10 V; I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz
R
CEsat
V
BEsat
V
BEon
f
T
equivalent on-resistance
base-emitter saturation voltage
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
C
c
collector capacitance
10
pF
相關(guān)PDF資料 |
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