- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382372 > PBSS8110S (NXP SEMICONDUCTORS) 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PBSS8110S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 中文描述： | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | PBSS8110S |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 2003 Nov 11
2004 Aug 13
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS8110S
100 V, 1 A
NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBW1CL | Assemblies |
| PBW1CV | Assemblies |
| PBW3CL | Assemblies |
| PBW3CV | Assemblies |
| PBW3CW | Assemblies |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBSS8110S,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS AMMO LARGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS8110T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:150; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature ;RoHS Compliant: Yes |
| PBSS8110T T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin TO-236AB T/R |
| PBSS8110T,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS8110T/DG,215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tape & Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。