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參數資料
| 型號： | PBSS3540M |
| 英文描述： | 40 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 中文描述： | 40伏，0.5安PNP型低飽和壓降（BISS）晶體管 |
| 文件頁數： | 2/9頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | PBSS3540M |
2003 Jul 22
2
Philips Semiconductors
Product specification
15 V, 0.5 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS3515M
FEATURES
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability I
C
and I
CM
High efficiency leading to reduced heat generation
Reduced printed-circuit board requirements.
APPLICATIONS
Power management:
– DC-DC converter
– Supply line switching
– Battery charger
– LCD backlighting.
Peripheral driver:
– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps
and LEDs).
– Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and
motors).
DESCRIPTION
Low V
CEsat
PNP transistor in a SOT883 leadless ultra
small plastic package.
NPN complement: PBSS2515M.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
handbook, halfpage
MAM469
1
3
Bottom view
2
3
1
Fig.1 Simplified outline (SOT883) and symbol.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PBSS3515M
DB
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
15
500
1
<500
UNIT
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
equivalent on-resistance
V
mA
A
m
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS5350SA | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS5350S | 50 V low VCEsat PNP transistor |
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| PBW1CV | Assemblies |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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