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參數資料
| 型號： | PBSS3515F |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | KPT 55C 55#20 SKT RECP |
| 中文描述： | 500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | PBSS3515F |
2001 Sep 21
5
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS3515F
handbook, halfpage
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(10)
IC
(mA)
VCE (V)
800
400
0
2
10
4
6
8
MLD666
(9)
Fig.6
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
=
7 mA.
(2) I
B
=
6.3 mA.
(3) I
B
=
5.6 mA.
(4) I
B
=
4.9 mA.
(5) I
B
=
4.2 mA.
(6) I
B
=
3.5 mA.
(7) I
B
=
2.8 mA.
(8) I
B
=
2.1 mA.
(9) I
B
=
1.4 mA.
(10) I
B
=
0.7 mA.
T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
RCEsat
(
)
3
10
2
10
1
10
1
MLD670
10
1
1
10
IC (mA)
10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.7
Collector-emitter equivalent on-resistance
as a function of collector current; typical
values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
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