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參數資料
| 型號： | PBSS3515F |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | KPT 55C 55#20 SKT RECP |
| 中文描述： | 500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | PBSS3515F |
2001 Sep 21
2
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS3515F
FEATURES
Low collector-emitter saturation voltage
High current capabilities
Improved thermal behaviour due to flat leads.
APPLICATIONS
General purpose switching and muting
Low frequency driver circuits
LCD backlighting
Audio frequency general purpose amplifier applications
Battery driven equipment (mobile phones, video
cameras and hand-held devices).
DESCRIPTION
PNP low V
CEsat
transistor in a SC-89 (SOT490) plastic
package.
NPN complement: PBSS2515F.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PBSS3515F
2B
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
handbook, halfpage
MAM411
1
2
3
1
Top view
2
3
Fig.1
Simplified outline (SC-89; SOT490) and
symbol.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
MAX
15
500
1
<500
UNIT
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
emitter-collector voltage
collector current (DC)
peak collector current
equivalent on-resistance
V
mA
A
m
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
15
15
6
500
1
100
250
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
mA
A
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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