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參數資料
| 型號： | PBSS2515VPN,115 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor - I<sub>C</sub> max: 1000 mA; IC (AV): 500 mA; Polarity: NPN / PNP ; Ptot max: 300 mW; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=200 mA, I<sub>b</sub>=10 mA: 150 mV; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=500 mA, I<sub>b</sub>=50 mA: 250 mV; VCEO max: 15 V; Package: SOT666 (SS-Mini); Container: Tape reel smd |
| 中文描述： | 500 mA, 15 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | 1.60 X 1.20 MM, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | PBSS2515VPN,115 |
DATA SHEET
Product specication
Supersedes data of 2001 Nov 07
2005 Jan 11
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS2515VPN
15 V low VCE(sat) NPN/PNP
transistor
M3D744
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS2515VS,115 | 15 V low VCEsat NPN double transistor - Complement: PBSS3515VS ; I<sub>C</sub> max: 1000 mA; IC (AV): 500 mA; Polarity: 2 x NPN ; Ptot max: 300 mW; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=200 mA, I<sub>b</sub>=10 mA: 150 mV; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=500 mA, I<sub>b</sub>=50 mA: 250 mV; VCEO max: 15 V; Package: SOT666 (SS-Mini); Container: Tape reel smd |
| PBSS2515YPN,115 | 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor - I<sub>C</sub> max: 1000 mA; IC (AV): 500 mA; Polarity: NPN / PNP ; Ptot max: 430 mW; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=200 mA, I<sub>b</sub>=10 mA: 150 mV; V<sub>CEsat</sub> at I<sub>c</sub>=500 mA, I<sub>b</sub>=50 mA: 250 mV; VCEO max: 15 V; Package: SOT363 (SC-88); Container: Tape reel smd |
| PBSS2540E,115 | 40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT416 (SC-75); Container: Tape reel smd |
| PBSS2540M,315 | 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT883 (SC-101); Container: Tape reel smd |
| PBU602 | 6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBSS2515VS | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Dual NPN/NPN transistor,PBSS2515VS |
| PBSS2515VS T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2515VS,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2515VS,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 6-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2515VS115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BISS TRANSISTOR DUAL NPN 15V 500MA 6 |
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