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參數資料
| 型號： | PBSS4140S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | KPTC 3C 3#20 PIN RECP |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | PBSS4140S |
DATA SHEET
Product specification
2001 Nov 27
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS4140S
40 V low V
CEsat
NPN transistor
ook, halfpage
M3D186
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS4350S | KPTC 3C 3#20 SKT PLUG |
| PBSS4350 | NPN transistor |
| PBSS5140D | KPT 15C 14#20 1#16 PIN PLUG |
| PBSS5140S | KPT 15C 14#20 1#16 SKT PLUG |
| PBW-1201 | KPTC 6C 6#20 PIN RECP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| PBSS4140T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Transistor 1A SOT23,PBSS4140T |
| PBSS4140T /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS4140T,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 40V 1000MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS4140T,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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