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參數資料
| 型號： | PD57002-01 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | 250MA I(D) | LLCC |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 65V的五（巴西）直|毫安（丁）| LLCC |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | PD57002-01 |
3/4
PD57002-01
Ref. 7359038A
mm
TYP.
0.90
0.02
0.24
0.51
0.71
5.00
5.00
2.57
1.27
Inch
TYP.
0.035
0.001
0.009
0.020
0.028
0.197
0.197
0.101
0.050
MIN.
MAX
1.00
0.05
MIN.
MAX
0.039
0.002
A
A1
A3
b
c
D
E
E2
e
0.43
0.64
0.58
0.79
0.017
0.025
0.023
0.031
2.49
2.64
0.098
0.104
DIM.
PowerFLAT
MECHANICAL DATA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PD57006-01 | RF POWER TRANSISTORS THE LDMOST PLASTIC FAMILY |
| PD60T | PIN PHOTODIODES |
| PD780336GC-XXX-9EV | Microcontroller |
| PD7869 | Optoelectronic |
| PD7XX11 | Optoelectronic |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PD57002-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD57002-E_10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| PD57002S | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 0.25A RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD57002S-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD57006 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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