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參數資料
| 型號： | PDTA114EEF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | PDTA114EEF |
1998 May 15
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA114TK
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
1
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.50
0.35
0.26
0.10
3.1
2.7
1.7
1.3
0.95
e
1.9
3.0
2.5
0.33
0.23
0.2
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.6
0.2
SOT346
TO-236
SC-59
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.3
1.0
0.1
0.013
c
X
1
2
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT346
97-02-28
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTA114EK | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA114ES | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA114T | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
| PDTA114TEF | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
| PDTA114YEF | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTA114EK | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ |
| PDTA114EK,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114EM | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ |
| PDTA114EM T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114EM,315 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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