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參數資料
| 型號： | PDTA114ES |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | PDTA114ES |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Sep 05
File under Discrete Semiconductors, SC04
1998 May 15
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PDTA114TK
PNP resistor-equipped transistor
book, halfpage
M3D114
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTA114T | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
| PDTA114TEF | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
| PDTA114YEF | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM |
| PDTA114YK | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM |
| PDTA114YS | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTA114ES AMO | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114ES,126 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114ET | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP W/RES 2X10K 50V SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, W/RES 2X10K, 50V, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, W/RES 2X10K, 50V, SOT23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:180MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| PDTA114ET T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114ET,215 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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