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參數(shù)資料
| 型號： | PDTA114ES |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | PDTA114ES |
1998 May 15
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA114TK
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
hFE
0
10
1
1
10
10
2
MBK784
IC (mA)
(1)
(2)
(3)
200
400
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 100
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
40
°
C.
handbook, halfpage
(2)
(3)
(1)
10
1
10
2
MBK783
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
VCEsat
(V)
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PDF描述 |
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