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參數資料
| 型號： | PDTA114TK |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-236, SC-59A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | PDTA114TK |
1998 May 15
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA114TK
FEATURES
Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k
)
Simplification of circuit design
Reduces number of components
and board space.
APPLICATIONS
Especially suitable for space
reduction in interface and driver
circuits
Inverter circuit configurations
without use of external resistor.
DESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor in a
SC-59 plastic package.
NPN complement: PDTC114TK.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base/input
emitter/ground (+)
collector/output
Fig.1 Simplified outline (SC-59) and symbol.
handbook, halfpage
MAM289
Top view
2
1
3
R1
1
2
3
Fig.2
Equivalent inverter
symbol.
MGA893 - 1
1
3
2
MARKING
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
PDTA114TK
23
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
50
100
100
250
13
UNIT
V
CEO
I
O
I
CM
P
tot
h
FE
R1
collector-emitter voltage
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
input resistor
open base
200
7
10
V
mA
mA
mW
T
amb
≤
25
°
C
I
C
=
1 mA; V
CE
=
5 V
k
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTA114TS | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA114 | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA114EEF | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA114EK | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA114ES | PNP resistor-equipped transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTA114TK /T3 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114TK T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114TK,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114TK,135 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-11 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA114TM | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
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