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參數資料
型號: PDTA114YEF
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數: 2/14頁
文件大小: 92K
代理商: PDTA114YEF
2004 Aug 02
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 10 k
, R2 = 47 k
PDTA114Y series
FEATURES
Built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduction of component count
Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification
Inverter and interface circuits
Circuit driver.
QUICK REFERENCE DATA
DESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline,
symbol and pinning” for package details).
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MAX.
50
UNIT
V
CEO
collector-emitter
voltage
output current (DC)
bias resistor
bias resistor
V
I
O
R1
R2
10
47
100
mA
k
k
PRODUCT OVERVIEW
Note
1.
* = p: Made in Hong Kong.
* = t: Made in Malaysia.
* = W: Made in China.
TYPE NUMBER
PACKAGE
MARKING CODE
NPN COMPLEMENT
PHILIPS
EIAJ
PDTA114YE
PDTA114YEF
PDTA114YK
PDTA114YM
PDTA114YS
PDTA114YT
PDTA114YU
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 (TO-92)
SOT23
SOT323
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
36
37
54
DF
PDTC114YE
PDTC114YEF
PDTC114YK
PDTC114YM
PDTC114YS
PDTC114YT
PDTC114YU
TA114Y
*29
(1)
*55
(1)
相關PDF資料
PDF描述
PDTA114YK PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA114YS PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA114Y PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
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相關代理商/技術參數
參數描述
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PDTA114YK T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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