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參數資料
型號: PDTA114YEF
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數: 9/14頁
文件大小: 92K
代理商: PDTA114YEF
2004 Aug 02
9
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 10 k
, R2 = 47 k
PDTA114Y series
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
5.2
5.0
b
0.48
0.40
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
L
14.5
12.7
e
2.54
e1
1.27
L
(1)
max.
2.5
b1
0.66
0.55
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
SOT54
TO-92
SC-43A
97-02-28
04-06-28
A
L
0
2.5
5 mm
scale
b
c
D
b
1
L1
d
E
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
e1
e
1
2
3
相關PDF資料
PDF描述
PDTA114YK PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA114YS PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA114Y PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
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相關代理商/技術參數
參數描述
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PDTA114YK,115 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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