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參數資料
型號: PDTA114YK
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝: PLASTIC, SC-59A, 3 PIN
文件頁數: 12/14頁
文件大小: 92K
代理商: PDTA114YK
2004 Aug 02
12
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 10 k
, R2 = 47 k
PDTA114Y series
UNIT
A1
max
bp
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.1
0.30
0.15
0.25
0.10
1.8
1.4
0.9
0.7
0.5
e
1
1.75
1.45
0.2
v
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
0.23
0.13
SOT416
SC-75
w
M
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
A
B
B
v
M
A
0
0.5
1 mm
scale
A
0.95
0.60
c
X
1
2
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT416
97-02-28
相關PDF資料
PDF描述
PDTA114YS PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
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PDTA123JS NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
相關代理商/技術參數
參數描述
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PDTA114YK,115 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA114YM 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA114YM T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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