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參數資料
| 型號： | PDTA114YK |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-59A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/14頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | PDTA114YK |
2004 Aug 02
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 10 k
, R2 = 47 k
PDTA114Y series
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
100
1.4
7
TYP.
0.7
0.8
10
MAX.
100
1
50
150
100
0.5
13
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector-base cut-off current
collector-emitter cut-off current
V
CB
=
50 V; I
E
= 0
V
CE
=
30 V; I
B
= 0
V
CE
=
30 V; I
B
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
5 V; I
C
=
5 mA
I
C
=
5 mA; I
B
=
0.25 mA
I
C
=
100
μ
A; V
CE
=
5 V
I
C
=
1 mA; V
CE
=
0.3 V
nA
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter-base cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input-off voltage
input-on voltage
input resistor
mV
V
V
k
resistor ratio
3.7
4.7
5.7
C
c
collector capacitance
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
3
pF
R1
R2
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